차세대반도체연구회

[발명의 명칭]

투명전극용 금속 메시 패턴 형성방법 및 그 투명전극

[출원인]

크루셜텍(주)

[발명자]

김건우 외 3인

[출원번호]

10-2012-0024267

[출원일]

2012년 03월 09일

[IPC]

H01L 21/027

[기술분야]

본 발명은 투명전극용 금속 메시 패턴 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 대면적 공정이 가능하고, 식각 공정이 줄어들며 기판에 대한 전극의 접착력이 향상되도록 하는 투명전극용 금속 메시 패턴 형성방법에 관한 것임

[종래기술 및 그 문제점]

종래의 나노 임프린트 리소그래피 공정에서는 대면적인 경우 몰드로 고르게 압력을 가하기 어렵고, 요철에 의해 가압된 부분이 항상 일정 두께 이상의 고분자 잔여층으로 존재하여 이를 제거하기 위해 2단계의 에칭 공정이 필요하였고, 패턴된 전극과 기판과의 접촉 면적이 작기 때문에 패턴된 전극과 기판간의 접착력이 강하지 못하게 되는 문제가 있어 보다 미세하게 집적된 반도체 집적 회로 구현을 위한 차세대 리소그래피 기술중 나노 임프린트 리소그래피 기술 상용화에 걸림돌이 되고 있음.

[발명이 이루고자 하는 기술적 과제(목적) 및 효과]

기술적 과제는 대면적 공정이 가능하고 공정을 단순화하며, 기판에 대한 전극의 접착력이 우수한 투명전극용 금속 메시 패턴 형성방법을 제공함에 있음.