차세대반도체연구회

[발명의 명칭]

에피택셜 웨이퍼의 에피 적층결함 검출방법

[출원인]

주식회사 실트론

[발명자]

김인겸

[출원번호]

10-2008-0121211

[출원일]

2008.12.02.

[IPC]

H01L 21/66

[기술분야]

본 발명은 에피택셜 웨이퍼의 에피 적층결함 검출방법에 관한 것으로, 특히 인라인(in-line)에서 실시간으로 에피택셜 웨이퍼의 에피 적층결함을 검출할 수 있는 에피 적층결함 검출방법에 관한 것임.

[종래기술 및 그 문제점]

에피택셜 웨이퍼의 ESF(Epitaxial Stacking Fault)를 검출하는 방식에 있어서, 산란 방식의 표면 스캐너는 상대적으로 빠른 검사가 가능하지만 검사 결과에서 곧바로 ESF를 분류할 수 없고, 공초점 방식의 멀티빔 스캐너는 고해상도 및 고감도로 검사가 가능하고 검사결과로부터 ESF를 분류할 수 있지만, 검사 속도가 느려 전수 검사가 불가능하고 샘플링 검사밖에 할 수 없다는 단점이 있음.

[발명이 이루고자 하는 기술적 과제(목적) 및 효과]

본 발명에 따르면, KLA-Tencor Corporation제 모델명 Surfscan SP 계열의 장비와 같은 산란 방식의 표면 스캐너만으로도 에피 적층결함(ESF)을, 공초점 방식의 멀티빔 스캐너에 필적하는 높은 정확도로 검출할 수 있음.