차세대반도체연구회

[발명의 명칭]

레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법, 고분자 화합물 및 화합물

[출원인]

도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤

[발명자]

다자이 다카히로 외 6인

[출원번호]

10-2010-0002192

[출원일]

2009.9.14.

[IPC]

G03F 7/004

[기술분야]

본 발명은 레지스트 조성물의 기재 성분으로서 이용할 수 있는 신규 고분자 화합물, 당해 고분자 화합물을 구성하는 반복 단위를 제공하는 화합물, 당해 고분자 화합물을 함유하는 레지스트 조성물, 및 당해 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

[종래기술 및 그 문제점]

향후 리소그래피 기술의 더 나은 진보, 응용 분야의 확대 등이 예상되는 가운데, 리소그래피 용도로 사용할 수 있는 신규한 재료에 대한 요구, 예를 들어 패턴의 미세화가 진행됨에 따라서, 레지스트 패턴 치수는 작아지고, 종래의 화학 증폭형 레지스트 조성물에 있어서는 해상성의 더 높은 향상이 요구

[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 해상성이 우수하고, 레지스트 조성물의 기재 성분으로서 이용할 수 있는 신규 고분자 화합물, 당해 고분자 화합물의 모노머로서 유용한 화합물, 당해 고분자 화합물을 함유하는 레지스트 조성물 및 당해 레지스트 조성물을 사용하는 레지스트 패턴 형성 방법을 제공