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인텔·마이크론, 차세대 반도체 공개 "1000배 빠른 반도체 내년부터 量産"

글쓴이 김상연 작성일 2015.08.10 08:50 조회수 2116 추천 0

삼성전자 주력 제품과 경쟁할듯

세계 최대의 반도체 업체인 미국 인텔이 마이크론과 손잡고 기존 낸드플래시보다 속도가 1000배 이상 빠른 메모리 반도체를 개발·생산하기로 했다고 29일 밝혔다. 마이크론은 삼성전자, SK하이닉스에 이어 세계 3위 메모리 반도체 업체다.

양사는 이날 공동 기자회견을 열고 '3D크로스포인트'(3D Xpoint)라는 이름의 차세대 반도체를 공개했다. 이 반도체는 전원이 끊기더라도 저장된 내용이 보존되는 비휘발성 반도체로 삼성전자의 주력 제품인 낸드플래시와 기능은 비슷하다.

하지만 이 제품은 낸드플래시보다 데이터 처리 속도가 빠른 D램 메모리의 장점을 결합해 속도와 수명을 크게 향상시켰다는 것이 장점이다. 양사는 보도자료를 통해 "메모리 기술의 새로운 돌파구가 될 것"이라고 밝혔다.

3D크로스포인트 반도체는 양사가 함께 설립한 미국 유타주(州)의 공장에서 연구·개발을 진행하고 올 연말에 일부 고객사에 시험 공급할 계획이라고 밝혔다. 마이크론의 마크 애덤스 최고경영자(CEO)는 "양산 시점은 내년 정도로 보고 있다"고 말했다.

삼성전자, SK하이닉스 역시 현재 저항성 램(ReRAM), 자기저항성 램(M램) 등의 차세대 메모리 제품을 개발 중이다. 삼성전자는 2011년 M램의 원천특허를 가진 미국 반도체 회사 '그랜디스'를 인수했고, SK하이닉스는 미국 IBM, 일본 도시바 등과 협력해 차세대 반도체 개발에 나선 상태다.

업계 관계자는 "당장 인텔과 마이크론이 신제품을 양산해도 시장이 바로 바뀌진 않을 것"이라면서 "차세대 반도체가 대거 등장하는 2018년은 돼야 어떤 제품이 주력으로 자리 잡을지 결정될 것"이라고 말했다.
 

 

조선일보  강동철 기자

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