차세대반도체연구회

올해 5월에 열린 전기전자재료학회 cmp부문위원회의 cmp ugm(user group meeting) 발표 자료로 목차는 아래와 같습니다. 최근 몇년 동안의 경향대로 cu cmp에 관한 내용이 대세이고, 한양대 박진구교수가 발표한 차세대 플라스틱 기판에서 금속 배선 형성시 cmp공정의 응용 가능성에 대한 논문이 특이합니다. 하이닉스와 삼성전자는 메모리 반도체 위주여서인지, cu cmp보다는 ceria 슬러리 관련 발표를 꾸준히 하고 있네요. 마지막으로 올초 거절 결정된 자사의 w cmp 슬러리건 때문에 거절불복심판을 청구한 cabot사의 차세대 w cmp 슬러리에 관한 자료도 흥미롭습니다. 첨부 발표자료 참고하시길 바랍니다. ================================================================================= 1) cu thickness와 cu cmp performance가 device 특성에 미치는 영향(동부전자) 2) cmp를 이용한 차세대 플라스틱 기판용 금속배선 형성 방법과 그 응용(한양대) 3) effect of ultra low diluted ceria-based slurry on the planarization characteristics of multi-x-layer exposed surfaces(hynix) 4) the effect of chemical components and abrasive on material removal in cu cmp(부산대) 5) study on the loading effect of cerium oxide based slurry in sti cmp process and its improvement(samsung) 6) chemical function with low dishing in cu cmp(samsung corning) 7) overview of polishing technology in bare silicon wafer(lg siltron) 8) edge-over-erosion (eoe) in tungsten cmp(cabot microelectronics) =================================================================================