차세대반도체연구회

지난 2005년 4월 21일에 열렸던 27차 CMPUGM 발표 자료를 중심으로 살펴본 국내 CMP 기술 동향입니다. 아래의 목록에서 알 수 있듯이 국내 chip maker들의 경우, 차세대 CMP 공정 기술 개발 또는 양상 기술의 최적화를 위해서 CMP 소재를 중심으로 최적화 및 공정한계를 극복하려는 움직임들이 많이 있습니다. 대학교 연구실의 경우, 대다수의 외국 연구소나 학교와 마찬가지로 Cu CMP관련 연구를 주로 진행하고 있으며, 최초의 국산 CMP 설비 제조사라할 수 있는 두산의 경우 아직 초보적인 단계이지만 많은 진전이 진행되고 있습니다. CMP 기술의 원조라할 수 있는 Silicon Wafer의 Polishig 공정의 경우, 차세대 소자에 대응하기 위한 wafer 생산을 위해서 post cleaning 공정에 심혈을 기울이고 있습니다. 첨부 참조하세요...(제가 발표한 자료도 있습니다...쩝쩝...^_^;;) ======================================================================================= 박형순 (하이닉스) - Effect of Abrasive Size and Surfactant Concentration in Ceria Slurry for Shallow Trench Isolation CMP 소재헌 (삼성전자) - Study on STI CMP Scratch Reduction by Slurry Engineering 정해도 (부산대학교) - Pad Surface Characteristics and their Effect on within Wafer Non-Uniformity in Chemical Mechanical Polishing 배기만 (MEMC) - Polished Silicon Wafer Cleaning - 65nm Size Particle Control Requirement 박정헌 (삼성전자) - Development of robust Al CMP and post-CMP cleaning for sub -90nm Al damascene metallization 강영재 (한양대학교) - The Adsorption Behavior of Citric Acid on Colloidal silica and Alumina particle in Cu CMP Slurry 김호윤 (동부아남) - Cu-Complex Residue Issue in BM CMP 오찬권 (두산DND) - Current Status and Future for DoosanUNIPLA CMP System ============================================================================================