차세대반도체연구회

본문보기

삼성전자가 기존 대비 소비전력을 25% 절감하고 데이터 읽기 시간을 절반으로 줄인 플래시메모리 내장형(임베디드 플래시) 로직 공정을 개발했다. 내년 하반기에는 이를 적용한 첫 상용화 제품인 스마트카드ic 양산에 나설 계획이다. 삼성전자는 업계 최초로 45나노 임베디드 플래시(x-embeded flash 혹은 eflash) 로직 공정을 개발하고 이를 적용한 스마트카드 ic 테스트 칩 개발에 성공했다고 15일 발표했다. 임베디드 플래시 로직 공정은 데이터를 제어하고 처리하는 시스템 반도체 회로안에 데이터를 기억하는 플래시메모리 회로를 구현하는 방식이다. 집적도와 전력효율을 높일 수 있어 가전, 모바일, 자동차 등 다양한 애플리케이션을 위한 제품에 적용된다. 이번에 개발에 성공한 45나노 스마트카드 ic 테스트 칩은 기존 80나노 공정 제품 대비 생산성이 높고 소모전력은 25% 절감하면서도 내부 플래시 메모리에서 데이터를 읽어 오는 시간(random access time)을 50% 줄인 제품이다. 특히, 플래시 메모리 한 셀(cell)당 최소 100만번 데이터 갱신(endurance cycle)이 가능해 업계 최고 수준의 신뢰성을 확보했으며 상용화를 위한 내부 테스트도 마친 상태다. 삼성전자, 45나노 e플래시 로직 공정 개발 정현정 기자 iam@zdnet.co.kr 2013.05.15 삼성전자는 설계·공정의 최적화 작업과 신뢰성 있는 기관의 보안성 테스트를 거쳐 내년 하반기에 45나노 임베디드 플래시 공정을 적용한 스마트카드ic를 양산할 예정이다. 이를 통해 소비자 가전과 차량용 마이크로컨트롤러유닛(mcu) 제품 분야의 파운드리 및 주문형반도체(asic) 고객에 경쟁력 있는 솔루션을 제공한다는 계획이다. 김태훈 삼성전자 시스템lsi사업부 상무는 "이번 45나노 임베디드 플래시 로직 공정은 스마트카드, nfc 등 다양한 보안 솔루션과 모바일 제품에 적용이 기대된다"며 "다양한 제품군에서 첨단 공정을 우선 적용해 종합 모바일 솔루션 공급자로서의 입지를 강화할 것"이라고 밝혔다.