차세대반도체연구회

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SK하이닉스 20나노급 8Gb LPDDR3 개발 세계 처음 성공 이형수 기자 발행일 2013.06.10 SK하이닉스가 세계 처음 20나노급 8기가비트(Gb) LP DDR3(Low Power DDR3) 모바일 D램 개발에 성공했다. 삼성전자보다 20나노급 LP DDR3 출시 시기는 늦지만 4GB(32Gb) 용량의 모바일 D램을 한 개의 패키지로 만들 수 있어 얇은 스마트폰117 디자인 구현에는 유리하다. 삼성전자와 더불어 한국 반도체업체들이 차세대 스마트폰 D램 시장을 확실히 선점했다는 평가다. SK하이닉스(대표 박성욱)가 20나노급 8Gb LP DDR3 모바일 D램 개발에 성공, 하반기 양산을 목표로 생산라인 전환에 돌입했다고 10일 밝혔다. LP DDR3는 종전 LP DDR2보다 저전력·초고속·대용량을 구현한 차세대 모바일 D램 표준이다. SK하이닉스가 개발한 제품은 칩 하나당 8Gb로 구성해 4Gb 제품보다 얇게 패키징할 수 있다. 데이터 전송속도는 2133Mbps로 모바일 D램 중 최고 수준이다. 1초에 풀HD급 영화 세 편을 동시에 처리할 수 있다. 정보출입구(I/O) 32개로 싱글 채널로 초당 8.5GB, 듀얼채널로 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 작동전압은 1.2V다. LP DDR2 대비 작동 속도가 두 배 이상 빠르며, 대기전력 소모는 10% 이상 줄였다. SK하이닉스가 개발한 8Gb LP DDR3는 패키지온패키지(PoP), 임베디드 멀티미디어카드(eMMC)로 패키징해 스마트폰117·스마트패드에 쓸 수 있다. 진정훈 SK하이닉스 마케팅본부장(전무)은 “20나노급 대용량 LP DDR3를 개발함에 따라 스마트기기에 최적화된 제품 포트폴리오를 구축했다”며 “미세공정 기술 수준을 더욱 끌어올려 반도체 시장에서 입지를 더욱 공고히할 것”이라고 말했다. SK하이닉스는 LP DDR3 양산으로 향후 반도체 시장에서 강력한 주도권을 가져갈 수 있을 것으로 보인다. 최근 모바일 D램 가격이 상승세에 접어들면서 고정거래가도 움직이고 있다. LP DDR3를 모바일 D램 시장에 안착시키기 유리한 환경이다. 환율 등 외부 환경도 SK하이닉스에 유리하게 흘러가고 있다. 지난 1분기 SK하이닉스의 영업원가는 전 분기 대비 2000억원이나 감소했다. 엔저 영향으로 웨이퍼 등 재료비를 크게 줄인 덕분이다. SK하이닉스는 삼성전자 무선사업부와 거래를 추진하면서 대 애플 협상력도 높였다. 그동안 SK하이닉스는 애플 거래로 2~3% 수준의 낮은 수익률에 그쳤지만, 앞으로는 상황이 180도 달라질 것으로 보인다. 삼성전자와 애플은 벌써 차기 신모델을 타깃으로 LP DDR3 모바일 D램 수급 동향을 점검하고 있다. 스마트폰 시장 경쟁이 하드웨어(HW) 중심으로 흘러감에 따라 경쟁사보다 먼저 자사 제품에 LP DDR3 모바일 D램을 적용하는 게 중요하기 때문이다. 반도체 담당 한 애널리스트는 “시장 환경이 유리하게 돌아가면서 SK하이닉스가 올해 3조원 영업이익을 달성할 것이란 전망도 나올 정도”라며 “수익구조가 개선되면 3차원 반도체 등 차세대 제품에 투자할 여력도 커져 선순환 고리를 이어갈 수 있다”고 분석했다.