차세대반도체연구회

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반도체 리소그래피 공정은 포토레지스트를 도포한 실리콘 웨이퍼 위에 마스크를 통하여 회로를 노광하고, 이후 열처리 과정을 거쳐 이를 현상하여 필요한 패턴을 형성하게 되는 과정이다. 포토레지스트는 리소그래피 공정에서 사용되는 감광성 수지인데 이는 노광에 의한 화학적 변화를 이용하여, 노광부분과 비노광 부분에 따라 용해도 차이에 의한 선택적 용해를 가능하게 함으로써 웨이퍼 상에 패턴을 형성하는데 있어서 중요한 역할을 한다. 반도체 회로의 미세화 정도를 결정하는 핵심적인 부분이 바로 노광 광원과 포토레지스트라고 할 수 있다. 사용되는 노광 광원의 파장이 짧아질수록 형성할 수 있는 패턴의 해상도는 미세화 하게 되며, 반도체 생산에 사용되는 노광 광원은 수은 램프의 I-line(365nm), KrF laser(248nm), ArF laser(193nm), F2 laser(157nm)로 그 파장이 감소하고 있는 실정이며, 이와 더불어 노광 광원 기술의 발전에 맞추어 투과도가 좋고 에칭 저항성, 감도 및 해상도가 우수한 포토레지스트의 개발도 계속되고 있다. 본 보고서에서는 포토레지스트 기술의 개요를 살펴보고, 이에 따른 기술 개발 동향 및 시장동향을 분석하도록 한다. 제1장 서 론 제2장 포토레지스트 기술 개요 1. 포토레지스트 기술 가. 포토레지스트 기술 내용 나. 포토 리소그래피 기술 다. 차세대 포토레지스트의 현황 라. 차세대 유전체물질(Dielectric Materials)의 현황 2. 포토레지스트 재료 가. KrF 포토 리소그래피용 포토레지스트 나. ArF 포토 리소그래피용 포토레지스트 다. F2 포토 리소그래피용 레지스트 라. EB-EUV 리소그래피용 레지스트 제3장 포토레지스트 기술 동향 및 시장 동향 1. 포토레지스트 기술 동향 가. 현재의 포토 리소그래피 기술 나. KrF 포토 리소그래피용 포토 레지스트 기술동향 다. ArF 포토 리소그래피용 포토 레지스트 기술동향 라. ArF-immersion 포토 리소그래피용 포토 레지스트 기술동향 2. 차세대 포토 리소그래피용 포토 레지스트 기술 동향 가. F2 포토 리소그래피용 포토 레지스트 기술동향 나. EUVL 시스템용 포토레지스트 기술동향 다. E-beam 리소그래피용 포토 레지스트 기술동향 라. 나노 임프린트(Nano imprint)용 포토 레지스트 기술동향 마. 폴리머 스탬프(Polymer Stamp)용 포토 레지스트 기술동향 3. 포토레지스트 시장 동향 가. 포토레지스트 시장현황 나. 포토레지스트 시장전망 제4장 결론