차세대반도체연구회

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미래의 메모리는 모두가 비휘발화 될것이다. 기기의 기능향상과 더불어 증가한 시스템 소비전력을 억제하기 위해서는 메모리의 비휘발화가 도움이 되기때문이다. 메모리가 비휘발화되면, 또 다른 장점이 발생한다. 예를들면, 디지털 가전기기를 순식간에 기동시킬 수가 있게 된다. 컴퓨터의 ON/OFF 동작이 필요없게 된다. 현재 대부분 사용하고 있는 DRAM 대신에 비휘발성 메모리를 채용하면, 이러한 세상이 현실로 다가온다. 이미, 하드 디스크 장치를 일부 치환하는 정도로까지 용도가 넓어진 NAND형 플래시 메모리와 동일 용도로 차세대 메모리인 비휘발성 메모리의 개발도 진척되고 있다. 이것은 고쳐쓰기(Rewrite) 회수의 제한이나 고쳐쓰기 시의 높은 전압이 필요했던 NAND형 플래시 메모리의 결점을 해결한 메모리이다. 현재의 DRAM이나 NAND형 플래시 메모리 용도의 차세대 비휘발성 메모리의 후보는 4종류이다. FeRAM, MRAM, PRAM, ReRAM이다. 단, 어느 하나의 비휘발성 메모리로서 전체 용도에 맞게 대응하는 것은 어려울 것같다. 그것은 어느 비휘발성 메모리에도 어떠한 형태로든지 결점이 존재하기 때문이다. 여기에서는 비휘발성 메모리의 용도와 각 비휘발성 메모리의 성능향상에 대한 대책 및 기술동향에 대해서, 시리즈 연재를 통하여 살펴보기로 한다.