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[삼성전자 20나노 D램·플래시 양산 의미와 전망] /서울신문 류지영기자 superryu@seoul.co.kr 글로벌 반도체 업계가 D램 가격 폭락으로 ‘치킨게임’에 돌입한 가운데 삼성전자가 업계 최초로 20나노급 낸드 플래시 및 D램 양산에 돌입, 선두업체로서의 위상을 다시 한번 확인했다. 하이닉스반도체도 올해 안에 20나노급 제품을 개발할 예정이어서 국내 업체들이 ‘말로만’ 20나노 제품 양산에 나선 엘피다 등 해외업체들을 제치고 반도체 시장을 독차지할 것으로 보인다. 삼성전자는 22일 경기 화성시 나노시티 캠퍼스에서 ‘메모리 16라인 가동식 및 20나노 D램·플래시 양산’ 행사를 가졌다. ●16라인 세계 최대 생산시설 가동 행사에는 이건희 삼성전자 회장과 권오현 디바이스솔루션(DS) 사업총괄 사장, 이재용 사장 등 경영진과 소니 나카가와 유타카 부회장을 비롯한 글로벌 정보기술(IT) 업체 관계자 등 500여명이 참석했다. 마이크로소프트의 스티브 발머 최고경영자(CEO)와 HTC의 셰어 왕 회장 등도 영상 메시지로 축하를 대신했다. 지난해 5월 착공해 1년 3개월 만에 가동에 들어간 메모리 16라인은 6만평 규모의 12층 건물로, 낸드 플래시를 주력으로 양산하는 세계 최대 규모의 메모리 생산 라인이다. 20나노급 고속 낸드 플래시를 12인치 웨이퍼(반도체 원판)로 월 1만장 이상 생산하며, 내년에는 10나노급 대용량 고속 메모리도 양산할 계획이다. 삼성전자는 이와 함께 세계 최초로 20나노급 2기가비트(Gb) D램의 양산을 시작했다. 20나노급 DDR3 D램은 지난해 7월 선보인 30나노급 DDR3 D램과 같은 세계 최고의 성능을 구현하면서도 생산성은 50% 정도 높이고 소비 전력은 40% 이상 줄인 친환경 제품이다. 삼성전자는 올해 말에 20나노급 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 제품을 개발, 내년부터는 4기가바이트(GB)·8GB·16GB·32GB 등 다양한 제품군을 양산할 계획이다. 이날 이건희 삼성전자 회장은 가동식 행사에서 “반도체 업계에 몰아치는 거센 파도 속에서도 메모리 16라인의 성공적 가동과 세계 최초의 20나노급 D램 양산 성공을 위해 혼신의 힘을 기울인 임직원들에게 감사의 뜻을 전한다.”면서 “앞으로 더욱 거세질 반도체 업계발(發) 태풍에도 대비해야 한다.”고 강조했다. 이는 국내 경쟁업체는 물론 일본, 타이완 업체들과의 미세공정 경쟁이 더욱 치열해지는 상황에서 반드시 기술력에서 앞서야 한다는 의미로 풀이된다. 한편 삼성전자에 이어 하이닉스도 4분기에 20나노급 D램 개발을 끝낼 예정이어서 한국업체들의 시장 점유율은 더욱 공고해질 전망이다. 특히 수익성이 크게 좋아져 가격 하락 국면에서 국내 업계의 시장 지배력은 더욱 강화될 것으로 보인다. 시장조사업체 아이서플라이에 따르면 올해 2분기 D램 시장에서 삼성전자는 41.6%의 최고 분기 점유율을 기록하며 1위를 지켰다. 하이닉스도 23.4%로 역시 최고 분기 점유율을 기록하며 2위로 선전했다. 일본 엘피다(14.6%), 미국 마이크론(10.6%), 타이완 난야(4.7%) 등이 큰 차이로 뒤를 이었다. ●한국업체 2분기 D램 점유율 65% 한국 업체의 2분기 D램 시장 점유율은 65.0%로, 1980년대 말 일본 업체들의 점유율이 75% 안팎에 달했던 이래 최고 수준의 지배력을 보였다. 한국의 시장 점유율은 2007년 49%에서 지난해 59%, 올해 2분기 65%로 3년 6개월 만에 16% 포인트나 치솟았다. 이러한 추세면 올해 안에 점유율 70% 달성도 어렵지 않을 것으로 보인다. 2분기 낸드 플래시 시장 점유율도 삼성전자(41.6%), 일본 도시바(28.7%), 마이크론(16%), 하이닉스(13.5%) 순으로 나타났다. 한국 점유율은 2007년 59.1%를 정점으로 조금씩 하락하다 올해 1분기 50.3%, 2분기 55.1%로 다시 높락 국면에서도 국내 업체들이 시장 점유율을 높일 수 있는 것은 미세 공정에서 경쟁업체들보다 6개월 이상 앞서 있는 데다 제품군이 다양화돼 있기 때문”이라면서 “국내 업체들이 20나노 공정을 본격화하면 시장 지배력은 더욱 공고해질 것”이라고 내다봤다.