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카이스트, 휘어지는 메모리 세계 최초 개발 [아이뉴스 / 권혁민기자 hm0712@inews24.com] '저항메모리'와 '고성능 실리콘 반도체' 결합 [권혁민기자] 카이스트(총장 서남표)는 8일 신소재공학과 이건재 교수팀이 플렉시블 전자제품에 적용할 수 있는 '휘어지는 비휘발성 저항메모리'를 세계 최초로 개발했다고 발표했다. 전자제품에서 메모리는 데이터 저장, 연산, 외부와의 통신 등 모든 기능에 필요한 핵심 부품이다. 특히 최근 들어 다양한 모습의 스마트 기기가 확산되며 휘어질 수 있는 메모리 개발이 필요했다. 그 동안은 몇몇 메모리성질을 가지는 유연한 물질들이 보고되긴 했지만, 수많은 메모리 셀 간의 간섭현상을 해결하지 못해 사실상 실용화가 불가능했다. 이번에 개발된 메모리는 이런 문제를 해결하기 위해 차세대 메모리 물질로 부각되고 있는 '저항메모리(memristor)'와 '고성능 실리콘 반도체'를 플렉시블 기판 위에 집적시켰다. 연구팀은 메모리 셀 간의 간섭현상 없이 수많은 메모리 셀을 자유자재로 제어해 쓰기·지우기·읽기 등 모든 메모리 기능이 완벽하게 작동되는 유연한 메모리가 구현됐다고 설명했다. 이건재 교수는 "플렉시블 전자제품을 개발하기 위한 가장 필수적인 메모리를 구현해냈다"며 "자유자재로 휘어지고 어디에도 부착이 가능한 컴퓨터를 개발할 수 있는 중요한 발판이 될 것"이라고 말했다. 한편, 이번 연구결과는 나노과학기술(NT) 분야의 세계적 권위지인 '나노 레터스(Nano Letters)' 10월호 온라인 판에 게재됐다.