차세대반도체연구회

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비휘발성 메모리 개발 동향 및 SSD 시장 전망 Outlook for Non-volatile Memory Devices and Solid State Drives 산업연구시리즈 http://www.hanaif.re.kr 2009년 2월 27일 제 3 호 <요약> ▶ 비휘발성 메모리의 특성 및 기술 개발 동향 .. 메모리 업체들이 새로운 비휘발성 메모리 개발에 공을 들이는 이유는 Flash 메모리가 갖고 있는 한계 때문. Flash 메모리는 전력소모가 많고, 면적이 크며, 속도가 느리고 반복사용 수명이 짧음 .. 이에 반해 차세대 메모리로 기대되는 다른 비휘발성 메모리의 경우 DRAM에 필적할만한 속도와 작은 셀 면적, 그리고 Flash보다 100만 배 , 그리고 Flash보다 100만 배 이상 긴 수명 등의 우수한 특성을 보임 .. 현재 PRAM은 DRAM 공정과 거의 유사하게 생산할 수 있어 다른 비휘발성 메모리에 비해 설비투자와 개발비용의 관점에서 유리한 위치에 있으며 GST는 이미 광디스크 재료로 사용되어 재료 개발의 부담이 적음 .. 따라서 현재 Post Flash 자리를 놓고 경합을 벌이고 있는 차세대 비휘발성 메모리 소자 가운데 PRAM이 가장 먼저 시장을 형성할 것으로 보임 .. 다음으로 MRAM은 STT 방식의 도입으로 집적도와 셀 간 간섭효과가 어느 정도 해결되어 빠른 기술개발상의 진전을 보일 전망 .. 향후 MRAM이 DRAM이나 Flash를 완전히 대체할 수는 없을 것으로 보이나 장기적으로는 하드디스크를 대체하는 수준으로 진화될 것으로 예상 .. DRAM과 유사한 구조의 FeRAM은 소비전력이 적으며 대용화가 가능해 차세대 반도체 소자들 가운데 가장 먼저 상용화되었으나 낮은 집적화로 인해 시장형성이 이뤄지지 않고 있는 상황