차세대반도체연구회

(요약) 액침노광에 따른 디바이스 양산이 본격화 되었다. 향후 NAND형 플래시만이 아닌 DRAM이나 로직에서도 도입이 시작될 예정이며, 각 회사들 모두 액침에 대한 연구가 더욱 가속화 되고 있다. 차세대 h32nm 노등용으로는 도입시기를 고려해 볼때 EUVL이나 고굴절률 액침이 샐현되기 어려울 것으로 보이며, 액침의 더블 패터닝(DP)이 현실적인 해결방안으로 떠오르고 있다. Double Exposure 등의 리소그래피 DP에 더해 NAND형 프래시용으로 스페이서 DP 또한 검토되고있다. (내용) I. 45/32nm를 겨냥한 리소그래피 기술의 최신동향 (액침노광이 양산도입으로 크게 비약,Application 확대와 DP용 개발의 진전) - 본격화 되고있는 액침노광의 양산가동 - DP, NAND용 스페이서도 등장 - 재료개발에서 뒤쳐진 고굴절률 액침 - hp22nm까지를 겨냥하고 있는 EUVL II. 니콘의 리소그래피 전략 (큰 폭으로 성장한 i선/ArF, 차세대 개발 또한 순조롭게 진행 중) - 액침에서의 선택에 강한 자신감 - DP에서도 Throughput을 확보 III. 캐논 리소그래피 전략 (ArF 노광장치 출하개시, 성능/짧은 납기에 강한 제품으로 전개) - ArF 드라이/액침 노광장치의 평가기 납입 - 생산혁신을 추구함으로써 고성능/짧은 납기를 실현 - EUVL, 각 요소기술을 숙성 IV. ASML의 리소그래피 전략 (양산에서의 도입을 통해 가속화된 액침, 일본 제조회사의 성장에 기여) - 액침으로의 이동으로 비지니스 확대 - 2008년말 DP 대응 액침노광장치를 발표 - 일본 반도체의 경쟁력 향상에 공헌 V. Gigaphoton의 레이저 전략 (2중 노광용 고출력을 달성, 안정가동을 통해 COO 저감) - 더블 패터닝 대응 레이저를 개발 - 스펙트럼을 액티브 제어 - 챔버 유효활용으로 저 COO VI. 리소테크의 EUV용 레지스트 대응 탈보호 반응 해석장치 (초박후 레지스트의 신탈보호 반응해석법, 경사 입사로 IR광의 막내광로길이를 확보) - 차세대 리소그래피 툴로서의 EUVL - 종래의 탈보호 반응해석의 문제점 - EUVL 대응 탈보호 반응해석장치의 검토 - 새로운 방식에 의한 초박막 레지스트 평가 - EUV용 레지스트 개발에 대응할 수 있는 신 측정법 * 출처: Semiconductor & FPD Monthly (2008.06)