차세대반도체연구회

(요약) 90nm 노드 이후의 다마신 배선용 Low-k막의 가공기술을 소개한다. Low-k막의 도입에 의해 에칭기술에 대한 도전은 새로운 시대를 맞이하고 있다. 즉, 막의 배선구조와 전후 프로세스의 동시 병행개발이 되며, 미묘한 막조성과 전후 프로세스에 의해 결과가 크게 좌우되므로 이에는 unit 프로세스로서의 개발이 의미를 가지지 않게 된다. 여기에서는 이러한 관점에서 극히 유효한 기술을 소개한다. (내용) I. 에칭기술 총론 1. 머리말 2. 게이트 에칭 3. 산화막 에칭 4. 배선 프로세스의 에칭 II. 산화막 에칭기술 1. 머리말 2. 에칭의 기본특성 3. 에칭기수 3.1 기상(vapor)에서 활성종의 생성과 플럭스 3.2 표면반응 3.3 홀 내부현상 4. 프로세스 구축 III. 폴리 실리콘 에칭기술 1. 머리말 2. 게이트 에칭기술의 현상 2.1 폴리 실리콘 에칭기술 2.2 듀얼 게이트 에칭 2.3 프로세스의 안정과 재현성 2.4 촌법 쉬링크(shrink)와 소밀 변환차의 저감 3. 금후의 동향 4. 맺음말 IV. 듀얼 다마신(Dual Damascene) Low-k막 에칭기술 1. 머리말 2. 다마신 배선의 구조 3. 가공기술 3.1 다층 마스크 기술과 유기막의 가공 3.2 SiOC계 막의 에칭 3.3 애싱(Ashing)기술 4. 맺음말 * 출처: 전자저널 기술대전