기술동향자료실
Wide band-gap 반도체를 이용한 전자디바이스의 연구개발현황 -AlGaN/GaN HFET를 중심으로 - |
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| 글쓴이 심병로 2007.06.22 00:00 | 조회수 1900 0 스크랩 0 |
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- 요약 -
High Power 소자기술은 무선통신에 있어서 중요한 기술로서, 미래 에너지 network에 있어서, 에너지 절감문제를 해결하는데 크게 기여하는 Power Electronics 혁신 뿐아니라, 21세기의 정보망 인프라의 하나이다. SiC, GaN와 같은 Wide band-gap 반도체는 그것들이 가진 재료특성에 의해 고출력/고주파소자 및 고출력 스위칭소자로서 크게 기대된다. 여기에서는,무선통신과 power electronics에서의 응용제품 분야의 정황에 비추어 이들 Wide band-gap 반도체의 고출력 소자들에 대한 현 상황과 앞으로의 전망에 대해 살펴보고자 한다.
(이 자료는 특허청 제36회 신기술릴레이 세미나 발표자료 임)
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