차세대반도체연구회

- 요약 - 21세기 국가 경쟁력의 핵심인 반도체 산업 및 소재산업은 기술집약적인 장치 산업으로서 거액의 설비 투자 및 연구 개발비가 소요되면서도 고도의 첨단 기술로 기술 혁신 속도가 매우 빠르기 때문에 제품 수명이 짧을 뿐만 아니라 제품의 시장 진입부터 성숙기에 이르기까지 가격이 급락하는 특성이 있다. 우리나라는 우수한 공정 기술을 바탕으로 표준화된 대량 생산의 잇점이 있는 메모리 제품 시장을 주도하고 있는 반면 고도의 설계 기술과 노하우를 요구하는 비메모리 제품 시장은 미국과 일본이 주도하고 있다. 반도체 장치들이 마이크로화 되고 장치에서 조작 단계의 수가 증가함에 따라, 절연체의 평면 가공 (평평한 가공)은 다중 조작 단계가 상호 연결된 장치의 제조 시에 중요한 핵심이 되고 있다. LSI칩을 얻기 위해서는 1차원으로부터 3차원적으로 구조변화가 필요하다. 첫째 소자선폭의 최소화(1G DRAM의경우 0.18μm) 둘째, 칩 크기의 대면적화(수㎠) 및 웨이퍼의 대직경화(12인치) 셋째, 다층배선화(Multilevel Interconnect) 및 3차원 구조화(3D Structure)가 그 일례이다. 그러나, 이러한 ULSI의 요구에 따라 부상한 기술상의 문제점으로서, 노광시 엑시머 레이저의 적용에 의한 초점심도 (DOF:Depth of Focus) 여유의 감소 칩 및 웨이퍼 크기의 증가에 따라, 상대적으로 형상 및 위치정밀도의 악화, 다층배선 및 3차원 구조화에 따른 소자의 표면단차(凹凸)의 악화 등이 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서는 실리콘 웨이퍼의 제조로부터 ULSI칩 제조에 이르기까지 웨이퍼 표면을 초정밀 경면가공하는 CMP기술이 필요 불가결하며, 이러한 목적을 달성하기 위해서는 반도체의 평탄화를 위한 CMP장치 설계기술 및 관련 가공기술을 개발하여 반도체장비 생산설계기술 고도화의 확보가 절실히 필요하다. 국가 경쟁력의 핵심인 반도체 산업을 지속적으로 육성 발전시키기 위해서는 새로운 환경 변화에 대응하며 세계 시장을 선도할 수 있는 관련 기술의 국제 경쟁력을 갖추어나가야 한다. - 내용 - 제1장 서론 제2장 기술동향 및 전망 1. 기술의 개요 2. CMP 장치의 기본구성 3. 기술의 특성 4. CMP 기술의 연구개발 동향 제3장 기술특허정보 분석 1. 분석의 범위 및 방법 2. 국내 특허동향 3. 해외 특허동향 가. 미국 나. 일본 4. 비교분석 5. 특허 비교 분석 제4장 시장동향 및 전망 1. 해외 시장 동향 가. 시장 규모 나. 업체 동향 2. 국내 시장 동향 가. 시장 규모 나. 업체동향 3. 수요 예측 및 전망 제5장 결론 <참고문헌>