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반도체 제조공정을 위한 저온 CVD 및 유전체

글쓴이 오창석 작성일 2007.09.07 00:00 조회수 2077 추천 0 스크랩 0
지난 10여 년 동안 저온 PECVD와 열CVD에서 많은 발전이 있었다. 그러한 발전은 회로의 크기가 점차로 작아지기 때문에 다층 전자회로가 절연체 위에 놓여야 한다는 큰 요구에 부응하여 일어났다. 고종횡비의 갭을 채우는 것은 이런 요구들 중에서 가장 시급한 것이었고, 공정온도를 낮추는 것과 향상된 유전체 평탄화 역시 여기에 포함된다.
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