□ 반도체 패키징 기술에 있어서 아직까지는 전공정에서 절단된 개별 칩
즉, 다이(die)를 분리하여 후공정에서 조립하는 기존의 반도체 조립방식이
주류를 이루고 있으나 웨이퍼 레벨 패키징 기술의 등장으로 LSI 패키징 기
술의 개념이 바뀌고 있다.


다른 분야에서도 마찬가지겠지만 특히 반도체 분야에서는 기술발전의 속
도가 빠르기 때문에 현재의 상태나 상황에 만족할 수 없으며 끊임없이 새로
운 기술을 개발해야만 살아남을 수가 있다. 반도체 패키징 기술도 예외일
수는 없다.

반도체 제조공정은 웨이퍼 제조, 회로설계, 웨이퍼 가공, 패키징 및 검사
공정으로 나눌수가 있는데 웨이퍼 가공공정을 전공정이라고 하며 패키징 공
정을 후공정이라고 한다.

반도체 패키징 기술에 있어서 아직까지는 전공정에서 절단된 개별 칩
즉, 다이(die)를 분리하여 후공정에서 조립하는 기존의 반도체 조립방식이
주류를 이루고 있으나 웨이퍼 레벨 패키징 기술의 등장으로 LSI 패키징 기
술의 개념이 바뀌고 있다. 완전히 분리되었던 전공정과 후공정을 일체화한
기술 즉, 웨이퍼 레벨 패키징 기술이 등장했기 때문이다. 이 기술은 칩들이
절단되지 않은 웨이퍼 상태에서 모든 조립과정을 마친 후, 웨이퍼 상태에서
절단한 형태가 패키지가 되는 새로운 개념의 기술이다. 따라서 패키지의
크기는 칩의 크기와 동일하게 되어 기존의 패키지 보다 작은 크기의 패키지
를 제조할 수 있으며 또한 제조비용도 줄일 수가 있다.

웨이퍼 레벨 패키징 기술의 등장으로 인하여 패키지의 제조공정이 크게
변화하게 되는데 이에따라 사용되는 제조장치와 재료도 변화될 것으로 예상
된다. 이 기술에서는 기존의 웨이퍼 가공공정 이후에 웨이퍼 상태로 재배선
하여 봉지(molding)한 후 범프(bump)를 붙이고 절단하므로 제조장치는 종래
의 와이어본더(wire bonder)나 다이본더(die bonder)를 대신하여 스퍼터
(sputter)나 에칭(etching)장치 등이 사용되며 와이어와 다이 접착제 등과
같은 재료는 불필요하게 된다.

종래에는 웨이퍼 제조공정과 패키징 공정이 완전히 분리되었기 때문에
웨이퍼 제조공정과 패키징 공정이 각각 다른 지역에서 실시되는 경우가 대
부분이었다. 그러나 웨이퍼 레벨 패키징 기술을 이용한다면 한 장소에서
웨이퍼 제조공정부터 최종제품까지 생산할 수 있는 체제가 가능하게 되는
것이다. 지금까지 국내에 출원된 웨이퍼 레벨 패키징 기술에 관한 특허출
원은 출원번호 특96-66316호(96.12.16)과 출원번호 특99-1301호(99.01.18)
등이 있다.

웨이퍼 레벨 패키징 기술의 등장으로 인하여 기존의 반도체 조립방식이
하루아침에 모두 바뀌는 것은 아니다. 그러나 미국이나 일본에서 현재 양
산화가 진행중인 이 기술이 패키징 기술의 주류가 된다면 패키지 제조에
사용되는 제조장치와 재료 그리고 제조공정에 큰 변화가 올 것임은 자명한
일이다.

※ 문의 : 심사4국 반도체(1)심사담당관실 송원선사무관.
전화 042)481-5735