o 회로선폭이 100nm 이하인 나노급 반도체의 개발이 본격화되면서, 70년대 초반 핀란드에서 제안된 ‘꿈의 증착기술’인 원자층 증착기술(ALD; Atomic Layer Depostion) 관련 특허출원이 급증하고 있음.

o ALD는 원자층 단위로 박막을 형성하는 첨단기술로, 뛰어난 균일도의 극박막 증착이 가능하기 때문에 나노급 반도체 제조의 필수적인 증착 기술로 주목받고 있음.

▪ALD는 반응기체들을 번갈아 공급하여 기판 위에 한 원자층씩 흡착되도록 하는 기술로 박막두께를 반응기체들의 공급 회수로 조절하여 수 nm의 얇은 두께도 매우 재현성있게 얻을 수 있음.

▪또한 낮은 증착온도에서도 박막의 특성이 매우 우수하고 높은 단차의 트랜치나 홀 내에서도 거의 100%의 피복성를 보이는 등 장점이 많아, 나노급 반도체 제조에 가장 적합한 증착 기술로 평가받고 있음.


o ALD에 대한 원천특허는 미국의 마이크로케미스트가 보유하고 있으나, 이미 특허권 존속기간이 끝나 공개 기술로 전환된 상태임.

o 우리나라는 반도체 소자 및 장비 업체들의 적극적인 기술개발 노력으로 ALD 기술 부문에서 종주국의 대열에 올라있음.

▪플라즈마를 이용한 원자층 증착기술(PEALD; Plasma-Enhanced ALD)을 세계 최초로 개발한 지니텍을 비롯하여 주성엔지니어링, 아이피에스 등의 장비 업체들은 해외에서도 그 기술력을 인정받고 있으며,

▪삼성전자와 하이닉스반도체도 앞선 공정기술력을 바탕으로 ALD 기술을 적용한 나노급 메모리 반도체 개발을 활발히 진행하고 있음.

o ALD 기술 관련 특허출원은 국내 반도체소자 업체의 나노급 반도체 개발이 활발해진 2000년 대에 들어 크게 증가하고 있음.

▪2000년 이전까지 약 90건에 불과하던 ALD 관련 특허출원이 2000년 148건, 2001년 255건, 2002년 358건으로 크게 증가.

▪2000년 이후 ALD 관련 특허출원 중 외국인 출원의 비율은 전체의 약 10%이나, 외국인 출원의 비율이 점점 증가하는 추세로서 2004년도 상반기에는 약 40%가 외국인 출원이었음.

▪내국인 출원은 하이닉스반도체와 삼성전자의 출원이 전체의 약 80%를 차지하여, 두 회사의 나노급 메모리 반도체 개발이 매우 활발히 이루어지고 있음을 알 수 있음.