○ 차세대 메모리로 각광받고 있는 P램(Phase-change RAM: 상변화 메모리)에 대한 특허출원이 급증하고 있고 기술개발도 활발히 진행되는 것으로 나타나고 있다.

○ P램은 현재 일반화 되어 있는 DRAM의 소형화가 더 이상 진보되기 어려울 것이라는 전망과 맞물려 포스트 DRAM 시대를 이끌어갈 메모리로 주목받고 있다.

○ P램의 데이터 저장방식은 일반 DRAM과 달리 온도변화에 따른 물질의 상변화(‘결정’ 또는 ‘비결정’ 상태)를 이용하여 데이터를 저장하는 것이 특징이다. 즉 전류에 의해 발생하는 열을 이용하여 물질의 상변화를 유도하고, 그 가운데 결정상태를 ’0‘, 비결정(Amorphose)상태를 ’1‘에 대응시켜 디지털 데이터를 저장하는 것이다.

○ 특히 P램은 전원이 차단되어도 데이터를 보존할 수 있고 고집적이 가능하다는 장점 때문에 현재 개인용 컴퓨터(PC)는 물론 개인휴대단말기(PDA), 핸드폰, MP3 플레이어 등에 널리 사용되고 있는 플래시메모리를 급격히 대체할 것으로 예상되고 있다.

○ 특허청에 따르면 P램에 대한 특허출원은 ‘96년 이전까지는 연간 5건 미만의 미미한 수준에 머물러 있었으나, ’97년 이후의 출원은 연간 30여건으로 큰 폭의 증가세를 보였고,
- 2001년까지는 강유전체 메모리(FRAM)와의 경쟁 등으로 증가세가 다소 주춤하였으나 2002년의 출원건수는 전년대비 두 배에 가까운 60건에 이르는 것으로 나타났다.

○ 이처럼 출원건수가 증가하는 이유는 P램이 기존의 반도체 제조설비를 이용하여 양산할 수 있고, 또한 이미 거대시장을 형성하고 있는 플래시 메모리를 대체할 수 있다는 장점을 지니고 있어
- 상업적 성공이 비교적 용이하다는 판단 하에 세계 주요업체들이 앞 다투어 기술개발에 나서고 있기 때문으로 분석된다.

○ 현재 P램 개발은 원천기술 보유업체인 오보닉스(Ovonyx)(미)를 비롯하여 Intel(미), 삼성, HP(미), ST마이크로사(프)가 리딩그룹을 형성하고 있으며
- 금년 들어 ST마이크로사가 8메가급 개발성공을 발표했고, 지난 8월 삼성이 64메가급 P램 개발을 발표하는 등 본격적인 개발경쟁에 돌입한 것으로 보인다.

○ P램은 휴대정보기기의 대용량화 및 초고속 통신 서비스에 대한 요구를 충족시키는 최적의 메모리로 인정받고 있어
- 세계시장 선점을 위한 세계 주요업체의 기술개발경쟁은 더욱 치열해질 전망이며, 그에 따른 특허출원 또한 지속적으로 증가될 것으로 예상된다.

※ 붙임1 : 상변화 메모리(Phase-change RAM) 관련 출원 현황
붙임2 : Phase-change RAM의 쓰기/지우기 동작
붙임3 : 메모리의 특성 비교