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미국내 차세대반도체 특허, M램이 가장 활발
담당부서
전기전자심사국
연락처
1111-1234
작성일
2005-04-07
조회수
3664
ㅇ 특허청(청장 김종갑)이 차세대반도체에 대한 미국 내 특허등록 현황을
조사한 결과 F램이 주도하는 가운데 최근들어 M램의 특허가 급격히
증가하는 것으로 분석됐다.
ㅇ 차세대반도체라 함은 기존 D램과 플래시메모리의 뒤를 이을 신 개념의
반도체 소자로서 F램(Ferroelectric Random Access Memory), M램
(Magnetic RAM), P램(Phase Change RAM) 등을 의미하며,
- 이들 소자들은 D램이 가진 고속ㆍ고집적도 장점과 플래시메모리의
비휘발성 장점을 모두 갖춰 장차 모든 종류 메모리를 대체할 것으로
예상되기 때문에 각 기업은 시장선점을 위해 치열한 기술개발경쟁을
벌이고 있는 상황이다.
ㅇ 특허청 조사결과에 따르면, 차세대반도체 중 M램의 경우 지난 ‘97년부터
2001년까지 5년간 연평균 67%의 출원증가세를 보이고 있으며, P램은
58%, F램은 18%의 증가세를 보이고 있는 것으로 파악됐다.
- 다만, ‘99년부터 3년간 연평균 증가율에 있어서는 P램(105%), M램(74%),
F램(10%)의 순으로서 P램의 증가율이 M램을 앞지르는 추세에 있으나,
‘02년도에는 다시 M램의 비중이 높아진 것으로 나타나고 있다.
※ 2002년 이후 출원은 심사가 종결되지 않은 경우가 많기 때문에 증가율
통계에서 제외
ㅇ 한편, ‘95년도 이후 출원된 미국 특허 중 차세대반도체 분야 기업별
출원건수 점유율은 한국의 하이닉스 반도체가 6.07%를 차지하여,
마이크론(11.6%), 인피니온(6.12%)에 이어 3위를 기록하고 있으며,
삼성전자의 경우 4.57%로서 6위를 차지하고 있는 것으로 나타났다.
- 그러나 삼성, 마이크론 등의 경우 95년도부터 본격적으로 특허출원을
해온데 비하여 하이닉스의 경우에는 98년부터 본격적인 출원을 한
것으로 파악되고 있다.
ㅇ 현재 F램은 현재 256KB급 칩의 양산 및 1MB급 시험생산 단계이며,
P램은 최근 들어 급격한 기술발달을 이뤄 수년 안에 양산될 것으로
보고 있고, M램의 경우 양산이 임박했다고는 하나 가격과 기술면에서
아직 사업화에 어려움이 많다는 견해도 있는 상황이고
- 반도체분야의 리딩기업들이 차세대반도체의 주력을 어느 쪽으로 선택
하느냐가 초미의 관심이기 때문에 이러한 기업들의 특허 동향을 살펴
본다는 것은 앞으로의 시장방향을 읽는데 큰 도움이 될 것이다.
ㅇ 따라서, 특허청은 기업이나 연구소에서 차세대반도체 특허에 대하여
좀더 심층적인 분석을 할 수 있도록 이번 분석에 사용한 차세대반도체
분야의 특허데이터를 특허청 홈페이지(http://kipo.go.kr)를 통하여
제공하고 있다. (미국 외에 일본 및 한국데이터도 제공)
붙임 : 1. 차세대반도체 미국 내 최근 특허등록 현황 (종류별)
2. 차세대반도체 미국 내 특허등록 기업체별 현황

- 문의 : 특허청 정보심사담당관실 안병일 심사관(042-481-8122)
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