“나노회로 구현의 핵심”
차세대 리소그래피 기술동향

- 전자빔 리소그래피 중심에서 다양한 방향으로 연구 분화
- 국내기업의 특허출원 외국기업에 뒤지지 않아

가장 짧은 파장을 가진 전자빔을 위주로 이루어지던 차세대 기술개발이 비용, 생산성 등의 요구에 따라 액침, 극자외선, 나노 임프린트법 등으로 세분화되고 있는 것으로 나타났다.
반도체 웨이퍼에 원하는 회로패턴을 그리는 리소그래피(Lithography) 기술은 사용하는 광원의 파장에 따라 회로패턴의 해상도에 근본적 제한을 받는다.
현재 리소그래피의 광원으로 사용되는 불화아르곤(ArF)은 193nm의 파장으로 인해 나노선폭의 해상도 구현이 어려웠으나,
액침(Liquid Immersion) 리소그래피 기술의 등장으로 불화아르곤을 이용하면서도 최소한 45nm까지의 회로공정이 가능할 것으로 예상되어 활발한 기술개발이 이루어지고 있으며,
미세선폭 22nm이하의 더 높은 집적도 구현을 달성하기 위해 전자빔, 극자외선 및 나노 임프린트법 등 새로운 개념의 기술이 활발히 연구되고 있다.

최근 5년간 차세대 기술관련 국내 특허출원 동향을 보면, 2003년까지는 전자빔을 이용한 출원이 대부분을 차지했으나, 금년에는 전체 55건의 출원 중 기존 시스템을 활용할 수 있는 액침 리소그래피(45%)가 전자빔(25%) 관련기술보다 훨씬 많이 출원되었으며, 극자외선(14%) 및 나노 임프린트법(16%)에 대한 출원도 증가되었다.

2005년 출원인별 국내 출원동향을 보면, 일본과 미국은 액침 리소그래피 기술에 집중하고 있으나 국내기업은 전자빔을 이용하는 기술의 비중이 높은 것으로 나타나고 있다.

차세대 리소그래피를 위한 기술개발이 다각도로 진행되고 있어 기존 시스템과 경쟁할 수 있는 가격과 공정비용을 가진 차세대 시스템이 머지않아 등장할 것으로 예상되는 가운데, 우리나라는 차세대 기술 전반에 걸쳐 연구가 고루 진행되고 있어 국내 기술력에 대한 미래전망을 밝게 해 주고 있다