반도체공정 기술분야 특허 출원 급증- ‘05년 출원 전년대비 22.9% 증가 -
담당부서
전기전자심사본부
연락처
1111-1234
작성일
2006-06-01
조회수
3289
특허청(청장 전상우)에 따르면, 최근 3년간의 반도체공정 기술분야에 대한 특허 출원을 분석한 결과, 이 분야의 특허 출원이 지속적으로 증가하고 있으며,
특히, ‘04년 6.6% 증가에 그쳤던 출원건수가 ’05년 내외국인 출원 각각 두 자리수 증가로 인해 전년대비 무려 22.9%나 급증한 것으로 분석되었다.
금번 분석은 반도체공정 기술을 IPC분류별로 5개공정(노광, 증착, 세정·CMP, 에칭, 확산·이온주입)으로 구분한 후, 이에 대한 최근 3년간의 출원 현황을 비교·조사한 것으로써,
’05년 반도체공정 기술분야 전체 출원의 35%를 점유하고 있는 노광분야는 ‘04년 18.9%로 감소했던 외국인 출원이 ’05년 54.7%로 급증함에 따라 전체 23.7% 증가한 것으로 나타났고,
증착분야의 경우, 회로 선폭이 100nm 이하인 나노급 반도체의 개발이 본격화되면서, 수 Å 단위의 극히 얇은 박막을 증착시키고자 하는 원자층증착기술(ALD, Atomic Layer Deposition) 등 다양한 증착기술이 개발됨에 따라 전년대비 44.8% 증가로 출원증가율이 가장 높게 나타났다.
에칭분야는 외국인 출원의 증가율이 주춤한 것에 비해, 내국인 출원은 ‘04년 29.5%, ’05년 23.6%로 2년 연속 가파른 증가세를 보여, 플라즈마에칭기술 등 에칭 관련 국내 기업의 기술 개발이 활발해지고 있음을 입증했으며,
세정·CMP 및 확산·이온주입분야의 경우, 타 공정분야에 비해 상대적으로 증가율이 저조한 것으로 나타났다.
붙임 : 보도자료 1부.
문의 : 전기전자심사본부 반도체심사팀 사무관 이강하 (042-481-5981)
특히, ‘04년 6.6% 증가에 그쳤던 출원건수가 ’05년 내외국인 출원 각각 두 자리수 증가로 인해 전년대비 무려 22.9%나 급증한 것으로 분석되었다.
금번 분석은 반도체공정 기술을 IPC분류별로 5개공정(노광, 증착, 세정·CMP, 에칭, 확산·이온주입)으로 구분한 후, 이에 대한 최근 3년간의 출원 현황을 비교·조사한 것으로써,
’05년 반도체공정 기술분야 전체 출원의 35%를 점유하고 있는 노광분야는 ‘04년 18.9%로 감소했던 외국인 출원이 ’05년 54.7%로 급증함에 따라 전체 23.7% 증가한 것으로 나타났고,
증착분야의 경우, 회로 선폭이 100nm 이하인 나노급 반도체의 개발이 본격화되면서, 수 Å 단위의 극히 얇은 박막을 증착시키고자 하는 원자층증착기술(ALD, Atomic Layer Deposition) 등 다양한 증착기술이 개발됨에 따라 전년대비 44.8% 증가로 출원증가율이 가장 높게 나타났다.
에칭분야는 외국인 출원의 증가율이 주춤한 것에 비해, 내국인 출원은 ‘04년 29.5%, ’05년 23.6%로 2년 연속 가파른 증가세를 보여, 플라즈마에칭기술 등 에칭 관련 국내 기업의 기술 개발이 활발해지고 있음을 입증했으며,
세정·CMP 및 확산·이온주입분야의 경우, 타 공정분야에 비해 상대적으로 증가율이 저조한 것으로 나타났다.
붙임 : 보도자료 1부.
문의 : 전기전자심사본부 반도체심사팀 사무관 이강하 (042-481-5981)
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